講演情報
[11a-PB1-5]過渡シミュレーションによるGaN-MOS CV特性の再現
〇上野 勝典1、星野 雄斗1、田中 亮1、高島 信也1 (1.富士電機（株）)
キーワード：
GaN、MOS、シミュレーション
GaN-MOSのCV特性評価から、多量の正孔トラップがあることがわかっており、パワーデバイスへの適用において、しきい値変動などの信頼性への影響が懸念されその低減が課題である。深いトラップがある場合、その時定数が長く通常のDC計算では実測を再現できない。デバイスシミュレーションではSRH統計を仮定した過渡計算で実測との比較が可能である。本報告では正孔トラップがある場合にCV特性がどのような挙動を示すのかを、過渡計算によって確認し、実測との比較を行った。