講演情報
[11a-PB1-6]Mgイオン注入を行ったHVPE GaNに対する2段階熱処理の効果についてのMOS構造を用いた分析
〇唐沢 陽向1、赤澤 正道1、金木 奨太2、藤倉 序章2 (1.北大量集センター、2.住友化学)
キーワード：
窒化ガリウム、欠陥、界面準位
高効率なGaNパワーデバイスを実現するためには、イオン注入技術が不可欠である。Mgイオン注入はp型GaN形成において有望だが、注入によって誘発される欠陥を制御する方法を確立する必要がある。前回、イオン注入後の高温での熱処理の前に、850℃での熱処理を行う2段階熱処理が有効であることを報告した。本報告では、このような方法をHVPE GaNに適用し、MOS構造を用いた分析を行った結果について報告する。