[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-8] MOCVD堆積SiAlNをゲート絶縁膜とした高出力・高効率GaN系MIS-HEMT

〇美濃浦 優一¹、山田 敦史¹、多木 俊裕¹ (1.富士通)

キーワード：

GaN、MIS、HEMT