講演情報
[11a-PB1-9]リセスゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの高性能化
〇滝本 将也1、角野 翼1、松浦 努1、吉嗣 晃治1、尾上 和之1、西田 武弘1 (1.三菱電機(株))
キーワード：
窒化物半導体、AlGaN/GaN HEMT、リセスゲート構造
GaN系HEMTの高性能化を目的に、AlGaN/GaN HEMTを基板上に作製し、ゲート直下のみAlGaN層を薄膜化するリセスゲート構造を検討した。本発表では、リセスゲート構造によるデバイス特性への影響をRF特性を含めて紹介する。