[11a-PB2-1~4] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-PB2-3] KOHエッチピット解析によるモノメチルシランを用いて800℃でSi(111)上に成長させた3C-SiC(111)膜の双晶評価

〇高橋 寛地¹、井上 脩樹²、成田 克¹ (1.山形大院理工、2.山形大工)

キーワード：

3C-SiC、双晶、KOHエッチング