セッション詳細
[11a-PB2-1~4]15.6 IV族系化合物（SiC）
2026年9月11日(金) 9:00 〜 10:30
PB2 (第2体育館)
[11a-PB2-1]ホール効果測定によるMMSを用いたSi(111)基板上への3C-SiC低温成長膜の電気的特性評価
〇國井 洋文1、成田 克1 (1.山形大院理工)
[11a-PB2-2]時間分解エレクトロルミネッセンスによる4H-SiC PiNダイオードのキャリアライフタイム評価
〇リ トウ1、米澤 喜幸2、加藤 正史1 (1.名工大、2.産総研)
[11a-PB2-3]KOHエッチピット解析によるモノメチルシランを用いて800℃でSi(111)上に成長させた3C-SiC(111)膜の双晶評価
〇高橋 寛地1、井上 脩樹2、成田 克1 (1.山形大院理工、2.山形大工)
[11a-PB2-4]逐次UV照度ステップによる4H-SiCウエハ通電劣化耐性マッピングの事前検証
〇森田 拓弥1 (1.アイテス)