セッション詳細

[11a-PB3-1~10]6.1 強誘電体薄膜

2026年9月11日(金) 11:00 〜 12:30
PB3 (第2体育館)

[11a-PB3-1]An electrode design strategy to minimize ferroelectric imprint effect

〇(D)YUWEI CHEN1,6, DONGUUAN YU2, CHUNWEI HUANG3, YUNGCHI SU1, CHAORONG CHEN1, WEICHEN HUNG1, Bhagwati Prasad4, Ramamoorthy Ramesh5, YENLIN HUANG1 (1.Department of Materials Science and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, 2.Taiwan Semiconductor Research Institute, 3.Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, 4.Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, 5.Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkely, 6.Institute for Material Research, Tohoku University)

[11a-PB3-2]AlNの極性反転境界のエネルギー的安定性に与えるSiとGeの影響

〇平田 研二1、新津 甲大2、Anggraini Sri Ayu1、上原 雅人1、秋山 守人1 (1.産総研、2.物材機構)

[11a-PB3-3]PLD法で作製した強誘電ハフニア膜の構造-特性相関

〇(M2)石川 隼吉1、進藤 沙也佳1、菅 大介1 (1.阪大院工)

[11a-PB3-4]HfO2-CeO2 系固溶体薄膜における相形成および分極挙動のサイズ効果

〇(M1)高野 桜1、横田 幸恵1、内田 寛1 (1.上智大理工)

[11a-PB3-5]単分子誘電体の薄膜におけるキャパシタ試作と電気特性評価

〇石井 宏樹1、中野 佑紀1、加藤 智佐都1、藤林 将2、西原 禎文3,4 (1.株式会社マテリアルゲート、2.宇部高専、3.広島大院先進理工、4.広島大キラル国際研究拠点)

[11a-PB3-6]PbTiO3/SrRuO3/SrTiO3(100)薄膜における極性スキルミオンの形成

〇小森 駿正1、小森 祥央2、谷山 智康1 (1.名大理、2.大阪公立大工)

[11a-PB3-7]セグメントターゲット PLD法によるYxAl1-xN薄膜作製の検討

〇(M2)高木 亮佑1、岩崎 光志1、中嶋 誠二1、堀田 育志1、藤谷 海斗1 (1.兵庫県立大工)

[11a-PB3-8]ミストCVDを用いた絶縁体立体物への銅成膜

〇高橋 勲1、澤水 悠佳1、石川 志緒利2、森本 孝貴2 (1.立命館大学、2.㈱クオルテック)

[11a-PB3-9]α相を主相としたナイロン11フィルムの圧電特性

〇嶌田 知弥1、児玉 秀和2、小林 遵栄1、中嶋 宇史1 (1.東理大物工、2.小林理研)