講演情報
[11a-PB3-7]セグメントターゲット PLD法によるYxAl1-xN薄膜作製の検討
〇(M2)高木 亮佑1、岩崎 光志1、中嶋 誠二1、堀田 育志1、藤谷 海斗1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
窒化アルミニウム、イットリウム、パルスレーザー堆積法
ウルツ鉱構造AlNは3価のYドープにより圧電性能の大幅な向上が期待される。しかし、酸化や結晶性の劣化により圧電性の向上に限界がある。その解決に向け、熱非平衡かつ超高真空下での成膜が可能なPLD法を用いた成膜を試みた。さらに本研究では、より酸素混入を防ぐため、高純度AlNとYのバルクを同時にアブレーションするセグメントターゲットを用いた。本手法で作製したYAlN薄膜の結晶構造および圧電特性について報告する。