講演情報

[11a-PB3-8]ミストCVDを用いた絶縁体立体物への銅成膜

〇高橋勲¹、澤水悠佳¹、石川志緒利²、森本孝貴² (1.立命館大学、2.㈱クオルテック)

銅、めっき、絶縁体

従来のめっきでは成膜困難な絶縁体への銅めっき技術について、ミストCVDによる代替を検討している。これまでの成果では、比抵抗が低く、密着性の良い膜が得られているため、本研究では、基板だけでなく、ガラス管の内壁や数十μmのスルーホール内部への銅成膜の検討を行った。