セッション詳細
[11a-S5-1~12]3.12 半導体光デバイス
2026年9月11日(金) 9:15 〜 12:30
S5 (総合教育棟 S講義棟)
[11a-S5-1]EQE Increase of 290 nm UVB LED by controlling Ga composition in the AlGaN Electron Blocking Layer (EBL)
〇(D)Hamida Zia1,2, M.Nawaz Sharif1, Hiroyuki Yaguchi2, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN Pioneering Research Institute (PRI), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, Japan, 2.Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
[11a-S5-2]Enhanced Injection Efficiency in AlGaN-Based UVB Light-Emitting Diodes using Step-Graded Electron Blocking Layer
〇(PC)Muhammad Nawaz Sharif1, Hamida Zia1,2, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN Japan, 2.Saitama University)
[11a-S5-3]二次元共振器を用いた偏光スイッチ半導体レーザの提案
〇福嶋 丈浩1 (1.岡山県立大情報工)
[11a-S5-4]SOIシャドーマスク選択成長を用いたCOMDフリーInGaAs/GaAs高出力レーザ
〇粕川 秋彦1,2、荒井 昌和3 (1.臺灣科技大、2.臺灣教育部 玉山學者、3.宮大工)
[11a-S5-5]pn埋め込み構造を適用したアクティブMMI型SOA集積DFBレーザー
〇木村 峻1、澤田 祐甫1、宮井 隆行1、星野 光太郎2、井上 大輔1,2、江川 満1,2、吉永 弘幸1、藤原 直樹1 (1.住友電工、2.住友電工デバイス・イノベーション)
[11a-S5-6]量子井戸インターミキシングによる多重量子井戸の構造・組成変化とパッシブ導波路としての特性
〇高張 真美1、上田 悠太1、鄭 源宰1、進藤 隆彦1、下小園 真1、西口 克彦2、中島 史人1 (1.NTT株式会社デバイスイノベーションセンタ、2.NTT株式会社物性科学基礎研究所)
[11a-S5-7]1.3μm帯タイプII量子井戸構造のしきい値レスオージェ再結合係数（2）
〇横内 則之1、ニャカシュ ペーテル2、肖 何1、今村 明博3 (1.古河電工、2.FETI、3.FFOD)
[11a-S5-8]光ワイヤープリンティングを用いた半導体レーザー・光チップ間接続の検討
〇(M1)千葉 大生1、吉見 拓展1、小林 大恭1、權 晋寛3、角田 雅弘3、荒川 泰彦3、岩本 敏2、太田 泰友1 (1.慶應理工、2.東大先端研、3.東大ナノ量子機構)
[11a-S5-9]1-µm帯InGaAs/GaAs半導体薄膜DRレーザの設計と温度依存性の検討
〇伊藤 竣1、今川 敬心1、大礒 義孝1、川原 啓輔1、西山 伸彦1,2 (1.東京科学大工、2.NEX-SECC)
[11a-S5-10]テーパー多モード干渉導波路を用いたQD-SOAにおける利得特性評価
〇(M2)千代 尚哉1,2、松本 敦2、中島 慎也2、梅沢 俊匡2、赤羽 浩一2、品田 聡2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情通機構)
[11a-S5-11]非対称Colliding-Pulse Mode-Lockingによる4倍縦モード間隔の多重積層量子ドットモードロックレーザ
〇簗瀬 智史1,2、赤羽 浩一2、松本 敦2、梅沢 俊匡2、山本 直克2、品田 聡2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.NICT)
[11a-S5-12]2層活性層構造による高出力量子ドットレーザーの特性評価
〇丸山 晴己1,2、簗瀬 智史1,2、赤羽 浩一2、品田 聡2、松本 敦2、前田 智弘1,2、外林 秀之2 (1.青学大理工、2.情通機構)