講演情報
[11a-S5-4]SOIシャドーマスク選択成長を用いたCOMDフリーInGaAs/GaAs高出力レーザ
〇粕川 秋彦1,2、荒井 昌和3 (1.臺灣科技大、2.臺灣教育部 玉山學者、3.宮大工)
キーワード：
半導体レーザ、有機金属気相成長法、選択領域成長
ファイバレーザ励起用光源や産業用ファイバレーザ光源に用いられるInGaAs/GaAs歪量子井戸(SL-QW) 9xxnmレーザは高出力動作が要求される。この波長帯の高出力動作の制限要因はレーザ端面の光学的損傷でありCOMD (Catastrophic Optical Mirror Damage)と呼ばれる．COMD抑制のため様々な手段が提案されている．ここでは，量産性を考慮し，MOCVD法による選択成長（SAG: Selective Area Growth）を用いCOMD対策を行った手法を開発したので報告する．