講演情報
[11a-S5-7]1.3μm帯タイプII量子井戸構造のしきい値レスオージェ再結合係数（2）
〇横内 則之1、ニャカシュ ペーテル2、肖 何1、今村 明博3 (1.古河電工、2.FETI、3.FFOD)
キーワード：
半導体レーザ、オージェ再結合、k·p摂動法
8バンドk・p摂動法を用いて1.3µm帯タイプII量子井戸のしきい値レスオージェ再結合レートのシミュレーションをおこなった．その結果，タイプI型と比較して，W型，M型タイプII量子井戸ともに，CHCC，CHHXしきい値レスオージェ再結合係数を低減できることが示された．