講演情報
[11a-S5-9]1-µm帯InGaAs/GaAs半導体薄膜DRレーザの設計と温度依存性の検討
〇伊藤 竣1、今川 敬心1、大礒 義孝1、川原 啓輔1、西山 伸彦1,2 (1.東京科学大工、2.NEX-SECC)
キーワード：
半導体、メンブレン、レーザ
半導体薄膜レーザは、高効率かつ低消費電力な直接変調光源として将来の光チップレットやオンチップ光配線への利用が期待される。しかし、100度を超える高温となりうる電子回路の直近への配置においては、従来のInP系レーザの利用は困難である。そこで、高温下での高い特性が証明されている1μm帯InGaAs/GaAsを導入した薄膜レーザの実現を目指し、DRレーザの設計、解析を行い、120℃でも安定動作する良好な温度特性が計算されたので、ご報告する。