[11p-A13-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:00 〜 14:15

[11p-A13-1] マルチモーダル非破壊計測による4H-SiCウエハ全面の欠陥評価

〇原田 俊太^1,2、高橋 幸聖¹、辻森 皓太²、川瀬 道夫¹、瀬尾 圭介¹、島本 憲太³、水谷 誠也⁴、水谷 優也⁴、水谷 誠二⁴、村山 健太⁴ (1.名古屋大学、2.SSR株式会社、3.リガク、4.マイポックス)

キーワード：

SiC、転位、X線トポグラフィ

X線トポグラフィと偏光顕微鏡観察を組み合わせ、8インチn型4H-SiCウエハ全面の主要な貫通転位を非破壊で分類した。