2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-A13-1~9]15.6 IV族系化合物（SiC）

2026年9月11日(金) 14:00 〜 16:15
A13 (情報研究棟)
座長：関 和明(産総研)
14:00 〜 14:15

[11p-A13-1]マルチモーダル非破壊計測による4H-SiCウエハ全面の欠陥評価

〇原田 俊太1,2、高橋 幸聖1、辻森 皓太2、川瀬 道夫1、瀬尾 圭介1、島本 憲太3、水谷 誠也4、水谷 優也4、水谷 誠二4、村山 健太4 (1.名古屋大学、2.SSR株式会社、3.リガク、4.マイポックス)
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14:15 〜 14:30

[11p-A13-2]レゾナントスキャナを用いたSiCの高速多光子励起フォトルミネッセンスイメージング

〇藤司 純一1、渡邊 隆志1、谷川 智之2 (1.株式会社ニコン、2.名城大学)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[11p-A13-3]4H-SiCにおける表面付近での基底面転位収縮現象解明のための時間発展転位動力学シミュレーション

〇平能 敦雄1、高橋 伸1、高橋 昭如1 (1.東理大)
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14:45 〜 15:00

[11p-A13-4]紫外線照射と熱処理のサイクルによる4H-SiC中のSSFの拡張挙動の評価

〇松井 大海1、森田 拓弥1、松下 洋介1 (1.株式会社アイテス)
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15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[11p-A13-5]電子線照射前の熱酸化によるSiC中の点欠陥密度制御

〇(M2)山中 孝太郎1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[11p-A13-6]光ヘテロダイン光熱変位法を用いた4H-SiCの局所的熱拡散過程の解析

〇原田 航陽1、加藤 正史2、福山 敦彦1 (1.宮崎大工、2.名工大)
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15:30 〜 15:45

[11p-A13-7]RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSiC極薄膜のPL特性の膜厚依存性

〇東 慶哉1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[11p-A13-8]イオン注入領域が高純度半絶縁性SiC基板の可視光透過率に与える影響

〇北川 修太朗1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
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16:00 〜 16:15

[11p-A13-9]Vドープ半絶縁性SiC基板上P+注入n型層の形成とドナー補償に関する考察

〇吉村 友揮1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
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