講演情報
[11p-A13-3]4H-SiCにおける表面付近での基底面転位収縮現象解明のための時間発展転位動力学シミュレーション
〇平能 敦雄1、高橋 伸1、高橋 昭如1 (1.東理大)
キーワード：
SiC、転位、転位動力学シミュレーション
本研究では，4H-SiCにおけるBPD-TED変換での重要な過程である，表面付近でのBPDの部分転位対の収縮現象について，時間発展を考慮した転位動力学シミュレーションを行った．これにより，現実の成膜での時間スケールにおけるBPDの収縮確率の評価が可能となる．解析の結果，部分転位対は即座に平衡幅になり，熱振動により平衡幅から完全転位へと収縮する過程で長時間要することが明らかになった．