講演情報
[11p-A13-5]電子線照射前の熱酸化によるSiC中の点欠陥密度制御
〇(M2)山中 孝太郎1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
キーワード：
欠陥評価、SiC、DLTS
SiC中の点欠陥は，近年，量子応用の分野で注目されており，その密度制御が重要な課題である．そこで今回，真性点欠陥の密度を制御する新たな手法の確立を目指し，電子線照射前に熱酸化を施すことを検討した．DLTS測定の結果，電子線照射前に熱酸化を行った試料で，炭素空孔由来の準位密度の低減と，格子間炭素関連の準位密度の増加が確認された．これは，本プロセスによる点欠陥密度制御の可能性を裏付ける結果である．