[11p-A21-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:15 〜 16:30

[11p-A21-10] ダイヤモンド選択ドープFETの高周波小信号特性（f_MAX= 54 GHz）

サハ ニロイ チャンドラ¹、江口 正徳²、冨木 淳史³、〇嘉数 誠^1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン光応用研究センター、3.JAXA宇宙科学研究所、4.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード：

ダイヤモンド、高周波パワーデバイス

我々はダイヤモンドFET の新原理のNO₂ｐ型ドーピング層とホールチャンネルを空間的に分離した選択ドーピング構造で、高周波小信号特性を測定し電力利得遮断周波数(f_MAX)= 54 GHzを得た。