講演情報
[11p-A21-12]ダイヤモンド/シリコン表面活性化接合面の熱処理による化学構造変化
〇大野 裕1、吉田 秀人2、梁 剣波3、井上 耕治4、重川 直輝3 (1.東北大TCEM、2.阪大産研、3.阪公大院工、4.東北大金研)
キーワード：
表面活性化接合法、ダイヤモンド
表面活性化接合法で作成したダイヤモンド/Si接合面の熱処理による化学構造変化をHR-TEM、STEM-EDSおよびSTEM-EELSで精査した。アルゴン原子照射による表面活性化過程で基板表面がアモルファス化され、接合過程で接合面を跨いだ相互拡散が生じ炭素とSiが混合したアモルファス層が形成されるが、900℃以上の熱処理でSi結晶/アモルファス界面より再結晶化し、立方晶SiCが形成されると示された。