講演情報
[11p-A21-2]Siイオン注入したAlOx絶縁膜を有するGa2O3 MOSキャパシタ (2)
〇小路 啓太1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、田中 浩平2、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器)
キーワード：
MOSキャパシタ、イオン注入、酸化ガリウム
本研究では、AlOx絶縁膜に3種類のドーズ量でSiイオン注入を実施したAlOx/n-Ga2O3 MOSダイオードの電気的特性と界面準位密度 (Dit) を評価した。結果、ドーズ量増加に伴いフラットバンド電圧の負方向へのシフトが認められたことから、高濃度Si注入によりAlOx膜中に正の固定電荷が生じたと考えられる。また、浅い準位において比較的良好なDit分布が得られ、イオン注入がAlOx/n-Ga2O3界面状態に与える影響は小さいと考えられる。