講演情報
[11p-A21-5]高耐熱電極を適用した自己整合ゲートβ-Ga2O3 MOSFET試作と電気的特性評価
〇吉浦 一慧1、寺村 祐輔1、森原 淳1、伊庭 義騎2、吉永 純也2,3、熊谷 義直2、堤 卓也1、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.日本酸素(株))
キーワード：
酸化ガリウム、電界効果トランジスタ、自己整合ゲート
横型Ga2O3 FETは次世代高速・高出力デバイスとして注目される一方、ソース・ドレイン領域からチャネル領域に至る寄生抵抗の低減が課題である。本研究では、自己整合ゲート (SAG) 構造を適用したSiO2ゲート絶縁膜Ga2O3 FETを試作し電気的特性評価を行った。SAG構造は寄生抵抗低減に一定の効果が示された一方、活性化アニール時のMOS界面安定化が設計上重要であることが明らかとなった。