[11p-A21-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[11p-A21-7] 電極形成後熱処理がSiO₂/β-Ga₂O₃ MOS界面特性に及ぼす影響

〇河井 蒼空¹、原 征大¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

Ga2O3、界面準位密度、MOS