[11p-A21-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[11p-A21-8] 酸素熱処理に起因するβ-Ga₂O₃中補償アクセプタ準位の光照射C–V測定による評価

〇森田 拓実¹、原 征大¹、山田 亮太¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

Ga2O3、SBD、実効ドナー密度