[11p-A24-1~6] 3.6 レーザープロセシング

15:00 〜 15:15

[11p-A24-5] フェムト秒レーザーダブルパルス列照射による4H-SiCの内部改質

〇(M2)山本 勇生¹、下間 靖彦¹ (1.京大工)

キーワード：

フェムト秒レーザー、SiC、レーザースライシング