[11p-A31-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[11p-A31-8] 高残留応力DLC膜を利用したTi/基板界面の密着性評価

〇(M1)中田 淳紀¹、上坂 裕之¹、飯田 民夫²、羽渕 仁恵²、宮内 悠³、宝泉 俊寛³、Artit Chingsungnoen⁴、Phitsanu Poolcharuansin⁴、吉川 恭平⁵、酒井 純⁵、伊東 佑真⁵、堀 勝⁶、針谷 達¹ (1.岐阜大、2.岐阜高専、3.レスカ、4.マハーサーラカーム大、5.イビデン、6.名古屋大)

キーワード：

ダイヤモンドライクカーボン、密着性、残留応力

Ti/基板界面の密着性評価法として、高残留応力DLC膜を利用した手法を提案する。Ti膜上にプラズマCVDでDLC膜を成膜し、DLC膜の残留応力によってTi/基板界面を剥離させ、剥離時のDLCの膜力を密着性指標とした。基板にはSUJ2を用いた。RFマグネトロンスパッタで成膜したTi膜はDLC膜厚0.5 µm（膜力7.75 N/cm）で基板から剥離した一方、HiPIMSで成膜したTi膜はDLC膜厚4 µmでも剥離しなかった。本手法によるTi/基板界面密着性評価の有効性を確認した。