セッション詳細
[11p-A31-1~9]6.2 カーボン系薄膜
2026年9月11日(金) 14:00 〜 16:30
A31 (情報研究棟)
[11p-A31-1]ダイヤモンドライクカーボン膜における表面層の形成因子
〇村岡 祐治1、榎本 奨2、岳 強3、横谷 尚睦1、脇田 高徳4、岡﨑 宏之5 (1.岡山大学術研究院、2.岡山大院環境生命自然科学、3.河南科技大、4.JASRI/Nano Terasu、5.量研)
[11p-A31-2]Fabrication of Microstructures in Hydrogenated Amorphous Carbon Films by Laser Irradiation
〇(D)INGYU BAEK1, SHENZI ZENG1, SHUOHAN WANG1, HIROKI AKASAKA1 (1.Institute of Science Tokyo)
[11p-A31-3]水素化アモルファス炭素膜のレーザパターン照射による金属板上への転写
〇曾 慎之1、白 寅圭1、王 鑠涵1、赤坂 大樹1 (1.科学大)
[11p-A31-4]レーザ照射による局所光分解を用いた炭素材料の固定
曾 慎之1、白 寅圭1、王 鑠涵1、〇赤坂 大樹1 (1.東京科学大学)
[11p-A31-5]磁場移動型磁気援用プラズマCVD法による小径円筒内壁へのDLC膜作製
〇(M2)佐向 亮1、赤坂 大樹1、王 鑠涵1 (1.東京科学大学)
[11p-A31-6]DLC形成用高速フィルタードアーク蒸着装置へのシールド法の適用
〇佐野 春1、佐野 絃貴1、滝川 浩史1、服部 貴大2、儀間 弘樹2 (1.豊橋技科大、2.オーエスジー(株))
[11p-A31-7]DLC成膜時のH₂およびN₂混合が膜特性と液体識別性能に及ぼす影響
〇(M2)萌出 大道1、赤坂 大樹2、青野 祐美3、針谷 達4、向山 義治1、安部 智子1、平栗 健二1、大越 康晴1 (1.東京電機大、2.東京科学大、3.鹿児島大、4.岐阜大)
[11p-A31-8]高残留応力DLC膜を利用したTi/基板界面の密着性評価
〇(M1)中田 淳紀1、上坂 裕之1、飯田 民夫2、羽渕 仁恵2、宮内 悠3、宝泉 俊寛3、Artit Chingsungnoen4、Phitsanu Poolcharuansin4、吉川 恭平5、酒井 純5、伊東 佑真5、堀 勝6、針谷 達1 (1.岐阜大、2.岐阜高専、3.レスカ、4.マハーサーラカーム大、5.イビデン、6.名古屋大)
[11p-A31-9]ダイヤモンドライクカーボン薄膜の応力への成膜時換算電界の影響
〇鷹林 将1、小野 晋次郎2、古閑 一憲2、山本 圭介3、篠原 正典4 (1.有明高専、2.九大院シス情、3.熊大REISI、4.福大工)
