[11p-B21-1~9] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４）

13:00 〜 13:30

[11p-B21-1] 半導体デバイスメーカーの視点から見たALP技術への期待

〇阿佐見 範之¹、中尾 幸久¹、和田 幸久¹、祐川 光成¹、佐々木 雄一郎¹、新井 紳太郎¹ (1.Rapidus株式会社)

キーワード：

APD、GAA、ALE

半導体デバイスの微細化と三次元構造化の進展に伴い、Gate-All-Around（GAA）や将来のCFETでは、高精度な形状制御や材料選択性の確保が重要課題となっている。本講演では、デバイスメーカーの視点からこれらの課題を整理し、Atomic Layer Deposition（ALD）およびAtomic Layer Etching（ALE）を中心としたAtomic Layer Process（ALP）技術の適用可能性と、将来ノードに向けた技術課題および今後の方向性について報告する。