セッション詳細
[11p-B21-1~9]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４）
2026年9月11日(金) 13:00 〜 16:35
B21 (工学部 B棟)
座長：廣瀬 文彦(山形大)、 霜垣 幸浩(東大)、 東雲 秀司(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
最先端半導体デバイス製造で重要性が高まる原子層堆積（ALD）・原子層エッチング（ALE）をはじめとする原子層プロセス（ALP）を、解析と応用の両面から俯瞰するシンポジウムです。午後は日本語セッションとして，半導体デバイスへのALP応用やプロセスインフォマティクス，機械学習を活用した反応解析・プロセス設計などをテーマに，招待講演5件と一般講演3件の，計8件を予定しています。
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[11p-B21-1]半導体デバイスメーカーの視点から見たALP技術への期待
〇阿佐見 範之1、中尾 幸久1、和田 幸久1、祐川 光成1、佐々木 雄一郎1、新井 紳太郎1 (1.Rapidus株式会社)
[11p-B21-3]ALDアルミナ成膜における酸化剤が膜組成に及ぼす影響
〇松尾 保孝1、石 旭1,3、遠堂 敬史1,3、中村 圭佑3、西田 章浩1,2 (1.北大電子研、2.（株）ADEKA、3.北大総合イノベ)
[11p-B21-4]プラズマプロセスインフォマティクスによる薄膜形成の理解と制御
〇鎌滝 晋礼1、Fitriani W. Sukma2、長嶺 一輝1,2、白谷 正治1 (1.九大シス情、2.九大IMI)