セッション詳細
[11p-B21-1~9]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の解析技術と応用技術(4)
2026年9月11日(金) 13:00 〜 16:35
B21 (工学部 B棟)
[11p-B21-1]半導体デバイスメーカーの視点から見たALP技術への期待
〇阿佐見 範之1、中尾 幸久1、和田 幸久1、祐川 光成1、佐々木 雄一郎1、新井 紳太郎1 (1.Rapidus株式会社)
[11p-B21-2]ナノ層で拓く次世代半導体:薄膜成膜の最先端
〇芦原 洋司1 (1.KOKUSAI ELECTRIC)
[11p-B21-3]ALDアルミナ成膜における酸化剤が膜組成に及ぼす影響
〇松尾 保孝1、石 旭1,3、遠堂 敬史1,3、中村 圭佑3、西田 章浩1,2 (1.北大電子研、2.(株)ADEKA、3.北大総合イノベ)
[11p-B21-4]プラズマプロセスインフォマティクスによる薄膜形成の理解と制御
〇鎌滝 晋礼1、Fitriani W. Sukma2、長嶺 一輝1,2、白谷 正治1 (1.九大シス情、2.九大IMI)
[11p-B21-5]機械学習力場との融合による反応経路自動探索プログラムGRRMの複雑系への展開
〇前田 理1 (1.北大WPI-ICReDD)
[11p-B21-6]Nb PEALD における水素ラジカルの還元反応および侵入挙動の NNP 分子動力学解析
〇佐藤 登1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸弘1 (1.東大)
[11p-B21-7]ALD Mo表面反応の詳細な反応速度論モデリング
〇加藤 大輝1、山田 浩樹1、宇木 権一1、山本 康介1、城 俊彦1、中野 雄大1 (1.東京エレクトロン)
[11p-B21-8]機械学習ポテンシャルを用いた Mo-ALD 向けプリカーサーの計算検討
〇玉置 直樹1、永井 総雅1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大工)
[11p-B21-9]クロージング
〇百瀬 健1 (1.熊大半導体)
