[11p-B21-1~9] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４）

16:00 〜 16:15

[11p-B21-7] ALD Mo表面反応の詳細な反応速度論モデリング

〇加藤 大輝¹、山田 浩樹¹、宇木 権一¹、山本 康介¹、城 俊彦¹、中野 雄大¹ (1.東京エレクトロン)

キーワード：

半導体、原子層堆積、反応速度論モデリング

モリブデン薄膜は、低い電気抵抗、高い熱伝導率といった優れた物理特性を有するため、近年、半導体製造プロセスにおいて電極および拡散バリアメタルとして知られている。本研究では、MoO₂Cl₂とH₂ガスを交互に供給によるモリブデン原子層堆積（ALD）プロセスに対して、詳細な化学反応速度論モデルを構築した。反応経路探索および反応MDシミュレーションから構築した化学反応速度論モデルは実験的なALD Mo成膜速度を定量的に再現した。