講演情報
[11p-E201-2]DPDS法における排気時間制御がY添加HfO2薄膜のOrthorhombic相安定化に与える影響
〇宇田川 浩太1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大情理)
キーワード：
強誘電体薄膜、二酸化ハフニウム、結晶成長
HfO2薄膜におけるOrthorhombic相（O相）安定化機構を明らかにするため、DPDS法を用いてY添加HfO2薄膜を作製し、排気時間が結晶相形成および酸素欠損形成に与える影響を調査した。その結果、排気時間の増加に伴いO相割合は低下し、Monoclinic相形成が優勢となる一方で、酸素欠損関連成分は増加した。以上より、O相安定化は酸素欠損量のみでは説明できず、排気時間を介した酸化反応、構造緩和などの成長過程制御が重要であることが示唆された。