講演情報
[11p-E201-3]スパッタリング法によるZrO2基強誘電体厚膜の作製と特性評価
〇小笠原 颯1、土屋 裕太郎1、今村 隼士1、岡本 一輝1、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
キーワード：
強誘電体材料、スパッタリング法、薄膜
HfO2基酸化物強誘電体は、強誘電体メモリや圧電MEMSへの応用が期待されている。特にZrO2はHfO2と同様の蛍石型構造を有しながら原料コストが低く、産業応用上有望な材料である。一方、非加熱成膜における強誘電相であるOrthorhombic相の形成機構は十分に明らかになっていない。本発表では、スパッタリング法により非加熱でZrO2基強誘電体厚膜を作製し、成膜条件が結晶構造および電気特性に及ぼす影響について調査した結果を報告する。