講演情報
[11p-E201-6]HfO2基材料における電界印加による酸素移動の検討
〇吉田 聖陽1,2、清水 荘雄2、高木 優香1、坂口 勲2 (1.東京理大創域理工、2.物質・材料研究機構)
キーワード：
HfO2薄膜、同位体18O、Ndドープ
HfO2基強誘電体では、wake-up効果やfatigue効果と酸素空孔移動との関係が指摘されている。本研究では、18O高濃度層を導入した積層薄膜を作製し、電界印加に伴う酸素および酸素空孔の移動をSIMSにより評価した。その結果、電界印加回数の増加に伴い18Oが膜表面から内部へ移動することを確認し、酸素空孔移動との関連が示唆された。