講演情報
[11p-E201-7]機械学習ポテンシャルによる正方晶HfO2から強誘電性直方晶相への
電界誘起相転移条件の探索
〇(M1)野村 拓樹1、西村 祐亮1、大場 淳平1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
キーワード：
強誘電体、分子動力学法
HfO2系強誘電体の特性制御には、正方晶(T)相から強誘電性直方晶(O)相への転移過程の原子スケールでの理解が重要である。本研究では、Coulomb相互作用と短距離斥力を取り込んだ機械学習ポテンシャルを用い、T相HfO2への電界印加MD計算を行った。T相からO相への電界誘起相転移を確認するとともに、格子変形に対する各相の安定性を評価し、O相が安定化しやすい異方的ひずみ条件を検討した。