[11p-E201-1~15] CS.6 6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[11p-E201-8] 微小空間ALDによるHfO₂ /β-Ga₂O₃の作製と界面特性評価

〇阿多 翔大¹、古川 勝裕¹、吉村 武^1,2、藤村 紀文¹ (1.阪公大院工、2.豊橋技科大)

キーワード：

HfO2、Ga2O3、ALD