[11p-E201-1~15] CS.6 6.1 強誘電体薄膜 、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

15:15 〜 15:30

[11p-E201-9] CSD法によるCe:HfO₂強誘電体/酸化物半導体積層構造を用いた可変容量素子

〇宮迫 毅明¹、細倉 匡¹、徳光 永輔² (1.株式会社村田製作所、2.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：

HfO2系強誘電体、酸化物半導体、可変容量素子

本研究では、強誘電体が誘起する大電荷量を利用し、高い電子ｷｬﾘｱ濃度を制御することで、大きな容量変化が得られる酸化物系可変容量素子を提案する。CSD法により作製したCe:HfO₂ｹﾞｰﾄ/ITOﾁｬﾈﾙFETを用いた可変素子(FeV-cap)では急峻な容量変化(C_ON/C_OFF～10⁴)と強誘電由来のﾋｽﾃﾘｼｽを示し、Ce:HfO₂/ITO積層を用いたMFSｷｬﾊﾟｼﾀでは、±8 VのDCバイアス掃引で、空乏層制御による容量の連続変調(C_ON/C_OFF～4.0)を確認した。講演では、高周波特性やｷｬﾘｱ濃度依存性を含む動作挙動についても議論する。