[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30

[11p-E301-11] SnO₂からのSnO形成に向けたキャッピングによる過剰還元抑制

〇川崎 汐音¹、辛 佳和¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

金属酸化物、キャッピング層