[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30

[11p-E301-4] AlO_x ゲート絶縁膜薄膜化によるInO_x FETsのバイアス安定性改善効果

〇(M2)石山 和樹^1,2、陳 家驄²、入沢 寿史²、トープラサートポン カシディット³、前田 辰郎² (1.日大院理工、2.産総研、3.東京大学)

キーワード：

酸化物半導体、TFT、信頼性