[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00

[11p-E301-6] 非晶質酸化ガリウム薄膜トランジスタの高温動作特性とガス応答の評価

〇大下 莉央¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義^1,2、平松 秀典^1,2、神谷 利夫¹ (1.科学大元素、2.科学大フロ研)

キーワード：

酸化物半導体

RFマグネトロンスパッタリング法によりアモルファス酸化ガリウム薄膜トランジスタ（TFT）を作製した。作製したTFTについて、室温から400℃までの温度範囲における伝達特性の温度依存性を評価し、立ち上がり電圧の変化および高温での動作特性を確認した。a-IGZOでは動作しなかった250℃においてもTFT動作を確認し、水素センサ応用への検討を行った。