[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:45 〜 16:00

[11p-E301-9] Ag、N共添加ZnO薄膜の電気特性に及ぼすAr:N₂:O₂流量比の影響

〇横山 脩¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：

ZnO、p型、ドーピング