[11p-N101-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:00

[11p-N101-2] 平坦な半極性AlN(10-13)エピ膜のMOCVD成長及び高品質半極性AlGaN/AlN超格子構造の作製

〇沈 旭強¹、児島 一聡¹ (1.産総研)

キーワード：

窒化アルミニウム

今回、AFHT-MOCVD法で成長された半極性(10-13)面AlNエピ膜をテンプレートとして使用し、その上に通常のMOCVD法で成長条件の最適化により従来困難である平坦な半極性(10-13)面AlNエピ膜の成長を実現し、そして最適化した成長条件に基づき次世代デバイス構造に必要な高Al組成のAl_0.6Ga_0.4Nエピ膜及びAl_0.6Ga_0.4N /AlN超格子構造の作製を実証したので、その結果を報告する。