セッション詳細

[11p-N101-1~8]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月11日(金) 13:30 〜 15:45
N101 (総合教育棟 N棟)

[11p-N101-1]高温MOVPE成長によるμPSS基板上へのAlN成長

〇(D)松原 優翔1、藤井 滉樹1、林 悠希矢1、桑原 佑基1、清水 蒼輝1、井関 創一朗1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、永松 謙太郎1,2,3 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.徳島大IPHF)

[11p-N101-2]平坦な半極性AlN(10-13)エピ膜のMOCVD成長及び高品質半極性AlGaN/AlN超格子構造の作製

〇沈 旭強1、児島 一聡1 (1.産総研)

[11p-N101-3]MOVPE法を用いたBGaN結晶成長におけるⅤ/Ⅲ比依存性評価

〇工藤 涼兵1、井上 翼1,2、中野 貴之1,2,3 (1.静大創造、2.静大工、3.静大電研)

[11p-N101-4]格子制御ScAlMgO₄基板上へのバッファー層および下地層の結晶成長に関する検討

〇(M2)榊原 愛1、木下 実乃里1、二宮 立輝1、大場 勇輝1、難波江 宏一2、鈴木 敦志2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、松倉 誠3、小島 孝広3 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション、3.オキサイド)

[11p-N101-5]MnドープGaN基板上に成長したGa, N極性GaNへのMn偏析の解析

〇吉田 成輝1、日野 眞生1、眞壁 勇夫1、牧山 剛三1、小谷 淳二1、中田 健1 (1.住友電工)

[11p-N101-6]下部トンネル接合を有するLEDのX線回折を用いたMg偏析評価法の検討

〇深草 翔真1、長田 和樹1、東 莉大1、山口 哲史1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城理工)

[11p-N101-7]非安定面から成る三次元GaNマイクロ構造の成長発展過程の解析

河本 陽平1、〇松田 祥伸1、船戸 充1 (1.京大院工)

[11p-N101-8]TMI供給によるN極性GaN/AlGaN/AlN HEMT構造における表面平坦性および電気特性の向上

〇段畠 陽樹1、Zazuli Aina Hiyama1、林内 天1、砂井 慶1、徳本 遥1、倉井 聡1、岡田 成仁1 (1.山口大院)