講演情報
[11p-N101-4]格子制御ScAlMgO₄基板上へのバッファー層および下地層の結晶成長に関する検討
〇(M2)榊原 愛1、木下 実乃里1、二宮 立輝1、大場 勇輝1、難波江 宏一2、鈴木 敦志2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、松倉 誠3、小島 孝広3 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション、3.オキサイド)
キーワード：
エピタキシャル成長
本研究では、Ga0.78In0.22Nと格子整合する格子制御ScAlMgO₄基板上のGaInN下地層の結晶性向上を目的として、AlN、AlInN、AlN+AlInNの各バッファー層を比較した。その結果、AlInNバッファー層が最も優れた結晶性を示した。さらに、AlN-cap層の挿入によりωスキャン半値幅が約1500 arcsec低減し、昇温時の熱分解抑制による結晶性向上の可能性が示された。