講演情報
[11p-N101-8]TMI供給によるN極性GaN/AlGaN/AlN HEMT構造における表面平坦性および電気特性の向上
〇段畠 陽樹1、Zazuli Aina Hiyama1、林内 天1、砂井 慶1、徳本 遥1、倉井 聡1、岡田 成仁1 (1.山口大院)
キーワード：
半導体、有機金属気相成長法、N極性AlN
本研究では、N極性GaN/AlGaN/AlN HEMTにおけるGaN成長前にTMIプリフローと成長中TMI供給を導入し、表面平坦化と電気特性改善を検討した。その結果、RMS粗さは2.23 nmから0.67 nmへ低減し、シート抵抗も約4.9×10⁴ Ω/sq.から約6.96×10³ Ω/sq.へ改善した。