講演情報
[11p-N102-8]カソードルミネッセンス法を用いた高Al組成単層AlGaNの局所表面形態と発光特性の相関解析
〇吉川 晃生1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、赤池 良太2、三宅 秀人2、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大、2.三重大・院工)
キーワード：
高Al組成AlGaN、局所構造解析、走査型電子顕微鏡
230 nm帯のfar-UVC発光には、Al組成0.8前後の高Al組成AlGaNが必要となる。近年、この組成領域では、単層AlGaN発光層を用いることで高い外部量子効率が得られることが報告されている。しかし、局所表面形態と発光特性との相関は十分に明らかになっていない。本研究では、Al組成0.8付近の単層AlGaN試料に対し、SEM観察およびCL測定を行い、局所表面形態と発光特性との相関を評価した。