セッション詳細
[11p-N102-1~8]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年9月11日(金) 13:30 〜 15:45
N102 (総合教育棟 N棟)
[11p-N102-1]サブナノ秒ポンプ・プローブラマン分光によるGaN薄膜のフォノン拡散解析
〇(D)石井 悠介1、飯田 大輔2、大川 和宏3、石谷 善博1 (1.千葉大院工、2.KAUST、3.三重大工)
[11p-N102-2]GaN量子井戸励起子系の冷却に対する励起子束縛エネルギー効果:超薄膜量子井戸の利点
〇(M2)丸山 哲平1、大木 健輔1、Si Thu Hein1、石谷 善博1 (1.千葉大学)
[11p-N102-3]Cooling of exciton-biexciton system focusing on excitonic transition processes: the advantage of AlN
〇(M2)SIThu Hein1, Kensuke Oki1, Teppei Maruyama1, Yoshihiro Ishitani1 (1.Chiba univ.)
[11p-N102-4]石英フリーハライド気相成長法GaN結晶の発光ダイナミクス
〇門内 勇樹1、藤倉 序章2、今野 泰一郎2、金木 奨太2、佐野 昂志1、市川 修平1,3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.住友化学株式会社、3.阪大電顕センター)
[11p-N102-5]積層型RGB発光GaInN系モノリシックµLEDの特性評価
–青色発光Ga0.84In0.16N量子井戸層の時間分解PL測定–
〇(D)新保 樹1、竹谷 圭右2、岩谷 素顕2、山口 敦史1 (1.金沢工大、2.名城大)
[11p-N102-6]積層型GaInN LEDにおける積層が活性層およびデバイス特性に与える影響
〇竹谷 圭右1、新保 樹2、福島 瑚子1、高木 一哉1、塚本 拓実1、髙橋 廉1、末広 好伸1、山口 敦史2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.金沢工大)
[11p-N102-7]三角/ハニカム格子InGaNナノコラムにおける発光効率の系統的評価
〇中山 寧音1、名取 浩佑1、小関 恭平1、山田 純平2,3、富樫 理恵3,4、岸野 克巳4、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.慶應大理工、3.上智大ナノテク、4.上智大理工)
[11p-N102-8]カソードルミネッセンス法を用いた高Al組成単層AlGaNの局所表面形態と発光特性の相関解析
〇吉川 晃生1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、赤池 良太2、三宅 秀人2、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大、2.三重大・院工)
