講演情報
[11p-N304-11]マイクロ波共振器加熱におけるSiウエハの熱収支解析
〇藤井 知1,2、吉田 英恵1、吉川 東吾1、小倉 正彦2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、上殿 明良3 (1.沖縄高専、2.産総研、3.筑波大)
キーワード：
マイクロ波焼鈍、半導体、ミニマルファブ
Si MOSFET の2 nm世代では高濃度活性層形成に選択的・高速熱処理が不可欠であり、MWアニールが有望とされる一方、低結合係数による加熱効率の不足が主要課題となる。本研究ではBドープ単結晶ダイヤモンドを用いた新規MWアブゾーバを作製し、Siウエハの高効率加熱を実証した。得られた熱・エネルギー収支解析を報告する。