2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[11p-N304-1~11]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2026年9月11日(金) 13:30 〜 16:30
N304 (総合教育棟 N棟)
13:30 〜 13:45

[11p-N304-1]MS界面におけるショットキー障壁形成の考え方 (III)

〇鳥海 明1、西村 知紀2 (1.自由業、2.東大工)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[11p-N304-2]AlSi/Si基板界面における酸素起因の接触特性変化と熱処理によるオーミック性回復

〇木村 慎治1、田中 盛光1、稲川 浩巳1、村中 誠志1 (1.ルネサス)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[11p-N304-3]パルスレーザーアニールによる高Sn組成Ge1-xSnx層のドーパント活性化

〇金 泰漢1、柴山 茂久1、勝部 涼司1、宇佐美 徳隆1,2,3、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来社会創造機構)
14:15 〜 14:30

[11p-N304-4]CaGe2/n-Ge(111)コンタクトが示す超低ショットキー障壁高さ

〇柴山 茂久1、雪竹 遼馬1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
14:30 〜 14:45英語発表

[11p-N304-5]Frequency-dependent field cycling for imprint recovery in ultra-thin Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitors

〇(M2)TINGYU LIU1, LIU ZHENHONG1, Ito Kosuke1, JIN ZHAO1, Takagi Shinichi2, Takenaka Mitsuru1, Kasidit Toprasertpong1 (1.The University of Tokyo, 2.Teikyo University)
14:45 〜 15:00

[11p-N304-6]ダブルおよび多重接合型太陽電池のデバイス構造とプロセス製法の提案

〇萩原 良昭1、小林 信一2、川崎 洋司3、石川 耀弓4 (1.LOCOMTEC社、2.東京工芸大、3.住友重機械MS社、4.ダビンチ・ブレイン社)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[11p-N304-7]フッ素表面コーティングが自然酸化膜付きCr/PET基板における
液滴型流動誘起発電の出力特性へ与える影響

〇(M1C)周 代佳1、割澤 伸一1、米谷 玲皇1 (1.東大新領域)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[11p-N304-8]IR-OBIRCH測定データの解析によるTSV断面不良候補領域抽出法の検討

〇竹原 夕二朗1、水谷 直貴2、髙野 拓郎3、寺澤 靖雄3、居村 史人4、赤井 一郎5、青西 亨6、橋新 剛2 (1.熊大院自、2.熊大院先端、3.(株)ニデック、4.(株)Hundred Semiconductors、5.熊大産ナノ研、6.東大院新領域)
15:45 〜 16:00

[11p-N304-9]統合的歩留まり・信頼性モデルとEDAフィードバックに基づくAgile-XプラットフォームのメガスケールLSI開発への応用

〇角 博文1、小菅 敦丈1、天野 英晴1、島本 直伸1、落合 幸徳1、坪井 伸二1、最上 徹1、三田 吉郎1、池田 誠1 (1.東京大学システムデザイン研究センター)
16:00 〜 16:15

[11p-N304-10]65nm RF-SOI FoundryにおけるRF-LDMOS開発

〇中田 直樹1、亀井 政幸1、新藤 正夫1、栗山 寛明1、栗本 優一1、福島 直1、大野 重幸1 (1.TPSCo)
16:15 〜 16:30

[11p-N304-11]マイクロ波共振器加熱におけるSiウエハの熱収支解析

〇藤井 知1,2、吉田 英恵1、吉川 東吾1、小倉 正彦2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、上殿 明良3 (1.沖縄高専、2.産総研、3.筑波大)
カテゴリ一覧へ戻る