[11p-N304-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:15 〜 14:30

[11p-N304-4] CaGe₂/n-Ge(111)コンタクトが示す超低ショットキー障壁高さ

〇柴山 茂久¹、雪竹 遼馬¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

ゲルマニウム、CaGe2、コンタクト