講演情報
[11p-N304-8]IR-OBIRCH測定データの解析によるTSV断面不良候補領域抽出法の検討
〇竹原 夕二朗1、水谷 直貴2、髙野 拓郎3、寺澤 靖雄3、居村 史人4、赤井 一郎5、青西 亨6、橋新 剛2 (1.熊大院自、2.熊大院先端、3.(株)ニデック、4.(株)Hundred Semiconductors、5.熊大産ナノ研、6.東大院新領域)
キーワード：
シリコン貫通電極、IR-OBIRCH法、ミニマルファブ
三次元積層半導体のTSV断面IR-OBIRCH像には、構造由来の信号変動やノイズが重畳し、欠陥に起因する応答の判別が困難である。
本研究では、取得データの画像特徴を定量化した上で、ノイズ除去、不良候補領域の抽出および局所応答の区分を行い、TSV近傍における欠陥やリークに関係する可能性のある位置を、再現性よく客観的に示すための解析手順を検討した。
本講演では、解析方針および検討結果について報告する。
本研究では、取得データの画像特徴を定量化した上で、ノイズ除去、不良候補領域の抽出および局所応答の区分を行い、TSV近傍における欠陥やリークに関係する可能性のある位置を、再現性よく客観的に示すための解析手順を検討した。
本講演では、解析方針および検討結果について報告する。