[8a-A13-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:00 〜 9:15

[8a-A13-1] [第60回講演奨励賞受賞記念講演] 六方晶窒化ホウ素多層膜を用いた完全歪み緩和Ti₂O₃薄膜の実現

〇菅野 圭太朗¹、相馬 拓人¹、深町 悟²、吾郷 浩樹²、奥山 大輔³、大友 明¹、吉松 公平¹ (1.科学大物質理工、2.九州大、3.KEK 物構研)

キーワード：

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、hBN

バルクTi₂O₃は450Kで格子定数が変化し金属絶縁体転移（MIT）を起こすが、α-Al₂O₃(0001)基板上Ti₂O₃薄膜では圧縮歪みにより格子定数が変化し、MIT温度が室温未満へ低下する。我々はSiO₂上転写hBNを用いた歪み緩和、MIT温度の室温以上への向上を報告した。本研究ではα-Al₂O₃(0001)基板上転写hBNを用いてバルクと同等の格子定数、MIT温度を実現した。